Bài viết

Chuẩn DRAM di động mới tăng 50% hiệu suất

Đặc tả kỹ thuật cho thế hệ tiếp theo của DRAM di động được phát hành hôm 17/5/2012, cung cấp hiệu suất tăng 50% và giảm tiêu thụ điện. Tuy nhiên, các bộ nhớ sử dụng chuẩn này có thể sẽ gặp thách thức lớn từ DDR4.

Chuẩn DDR3 tiêu thụ năng lượng thấp (còn gọi là LPDDR3) này cũng làm tăng mật độ của các chip bộ nhớ, giúp các thiết bị di động tương lai có thể lưu nhiều dữ liệu hơn.

Chuẩn bộ nhớ LPDDR (low-power double data rate - tiêu thụ năng lượng thấp, tốc độ gấp đôi), do tổ chức JEDEC soạn thảo và ban hành, hướng đến dùng trong thế hệ mới nhất của điện thoại thông minh (smartphone), máy tính bảng, máy tính xách tay siêu mỏng và các thiết bị kết nối tương tự với mạng 4G tốc độ cao mới nhất.

LPDDR3 cung cấp tốc độ dữ liệu 1600 megabit/giây (Mbps) so với 1066 Mbps trước đó của LPDDR2.

“LPDDR3 xây dựng trên chuẩn mang tính cách mạng LPDDR2, vốn là chuẩn mở đường cho thế hệ thiết bị di động tiêu thụ năng lượng thấp, hiệu suất cao", Chủ tịch Mian Quddus của JEDEC cho biết. "Với LPDDR3, JEDEC đưa chuẩn lên một cấp độ mới, thỏa mãn nhu cầu về hiệu suất của thế hệ sản phẩm di động mới".

LPDDR3 có tính năng tuỳ chọn tên là On Die Termination (ODT) giúp giảm sử dụng năng lượng hơn nữa. Chuẩn này sử dụng cùng điện thế - 1,2V - và mạch ghép nối tín hiệu như LPDDR2.

Như với LPDDR2, LPDDR3 hỗ trợ cả PoP (package on package) lẫn các gói riêng biệt để đáp ứng yêu cầu của một dải rộng các thiết bị di động. PoP là phương pháp xếp chồng để bộ nhớ có mật độ lớn hơn.

Sự thay đổi sắp tới từ DDR3 sang chuẩn bộ nhớ DDR4 có thể đặt ra thách thức cho LPDDR3 trong thị trường di động. Theo kế hoạch, JEDEC sẽ phê duyệt chuẩn bộ nhớ DDR4 vào mùa hè này. DDR4 tăng gấp đôi hiệu suất, giảm sử dụng điện từ 20% đến 40% so với DDR3. DDR4 sử dụng điện tối đa 1,2V, giống như LPDDR3 và LPDDR2.

Sự tiết giảm đáng kể mức tiêu thụ năng lượng của DDR4 khiến nó lần đầu tiên trở thành đối thủ của bộ nhớ PLDDR trong các thiết bị di động như ultrabook và máy tính bảng, theo nhà phân tích Mike Howard của IHS iSuppli.

Samsung cho biết mô-đun bộ nhớ DDR4 của họ có thể đạt tốc độ lên đến 3.2Gbps, so với tốc độ 1.6Gbps của DDR3 và tốc độ cao nhất 800Mbps của DDR2. Cả Samsung và Micron đều công bố đang chuẩn bị xuất xưởng các mô-đun bộ nhớ theo chuẩn DDR4.